Realized motor drive by power module with built-in SiC CMOS gate driver The unique gate drive method reduces noise and contributes to improved reliability of the motor system. Energy loss during ...

STマイクロエレクトロニクス、小型SO-8Nパッケージで提供される堅牢な絶縁型SiCゲート・ドライバを発表 STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETの制御に最適化されたシングルチャネル・ゲート・ドライバ「STGAP2SiCSN ...

TI、EVの航続距離最大化を支援するSiC ゲート・ドライバを発表 より安全で効率的なトラクション・インバータの設計で、EVの航続距離を年間最大1,600km（1,000マイル）向上させることが可能に テキサス・インスツルメンツ(TI)は本日、高電圧技術のリーダーとし ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETの制御に最適化されたシングルチャネル･ゲート･ドライバ「STGAP2SiCSN」を発表しました。同製品は、小型のナロー･ボディSO-8Nパッケージで提供され、優れた堅牢性と高精度 ...

Maxim、産業機器などのスイッチング電源向け高効率SiCゲートドライバを発表 掲載日 2019/12/18 12:34 著者：小林行雄 自動車開発 太陽電池 電気自動車 二次電池 半導体デバイス パワー半導体 Maxim ...

[NASDAQ: MCHP] - 世界中で革新的技術を採用した高効率の交通手段に切り換えが進む中、列車、路面電車、トロリーバス、自動車、EV充電器まで、輸送手段の電動化が急速に進んでいます。Microchip Technology Inc.（日本法人: 東京都港区浜松町、代表: 吉田洋介 以下 ...

Texas Instruments(TI)は米国時間の5月9日、電気自動車(EV)向けSiCゲートドライバとして「UCC5880-Q1」を発表した。これに関してのオンラインでの説明会が5月16日に行われたので、その内容をご紹介したい。 TIはEVに向けてさまざまな製品展開を行っているが、今回の ...

「ゲートドライバ」に関する情報が集まったページです。 MOSFET、IGBTならびにSiC（炭化ケイ素）トランジスタは高電力／高電圧アプリケーションでよく使用されるが、これらのゲートははるかに低い電圧で駆動されている。ゲート入力電圧の範囲が異なる ...

持続可能で接続性の高い、より安全な世界の実現のための工業技術を生み出すリテルヒューズ・インク（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人である Littelfuse ジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、自動車向け炭化ケイ素（SiC）MOSFET ...